8 月 9 日是中國半導體產業(yè)**里程碑的日子，這天，禁錮數十年的高端生產技術被中芯國際一紙財報公開書文末，“14 納米 FinFET 技術已導入客戶”短短幾行字給徹底解放，正式宣示中芯 14 納米制程研發(fā)成功，這也是中國目前*高端的芯片制造工藝技術的正式落地。

　　而這一天，是中芯聯合首席執(zhí)行官梁孟松加入中芯后第 298 天。而中芯口中這位神秘的“客戶”，業(yè)界推測，中國**大 IC 設計公司海思半導體的呼聲極高。

　　臺積電、三星拼 7 納米肉搏戰(zhàn)，中芯 14 納米將快速追上

　　對比臺積電、三星電子今年進入 7 納米技術肉搏戰(zhàn)，中芯國際從 28 納米走到 14 納米 FinFET 技術節(jié)點的進展看似是順水行舟，但這一步也走了許多年，直到 2017年 10 月 16 日延攬前三星、臺積電研發(fā)高層梁孟松加入，中國的高端技術工藝突破口才曙光乍現。

　　中芯國際在 8 月 9 日發(fā)布*新一季度財務報告明確宣布，14 納米 FinFET 技術獲得重大進展，**代 14 納米 FinFET 技術已經進入客戶導入生產階段，而在 28 納米工藝節(jié)點上，除了 PolySiON 技術和 HKC 技術外，28 納米 HKC + 技術也完成開發(fā)，同時 HKC 技術持續(xù)上量且良率顯著提升。

　　雖然中芯國際沒有透露這位“客戶”的身份，但根據行業(yè)內人士判斷，**個捧場中芯 14 納米 FinFET 技術的客戶由海思出線的機率極高，另外，也傳出高通和博通兩大 IC 設計公司也是中芯亟欲網羅進入“14 納米家族”的兩大目標群。

　　中芯國際成功研發(fā) 14 納米并進入生產后，將成為中國自主研發(fā)的*高端工藝技術，追平臺積電位于南京采用 16 納米 FinFET 技術生產的 12 寸廠。再者，以全球半導體技術陣營的角度來看，中芯在 14 納米 FinFET 技術上的成功，將會開始用力追趕聯電，給對方不小壓力，加上聯電也計劃到上海 A 股進行上市，未來彼此交鋒的機率只會多、不會少。

　　2015 年時，中芯國際曾與高通、比利時微電子 imec 合作開發(fā) 14 納米技術工藝，計劃以跨國合作的方式來打造中國*先進的集成電路研發(fā)平臺，不過，這樣的合作模式并沒有成功，直到網羅梁孟松加入中芯后，成為突破中國半導體制造技術藩籬的關鍵轉折。

　　梁孟松讓成立 18 年的中芯進入“轉骨期”，業(yè)界認為“神乎其技”

　　8 月 9 日是梁孟松加入中芯國際的第 298 天，他用了不到一年的時間，讓停滯將近 4 年的技術工藝往前大步跨進。他究竟是如何辦到的?如何以 298 天的時間，讓已經成立 18 年的中芯國際進入脫胎換骨的“轉骨期”，有業(yè)界人士以“神乎其技”來形容這項得來不易的成就。

　　而就在同一天，上海市市委書記李強也進行半導體產業(yè)發(fā)展情況的調研，實地視察半導體制造商中芯國際、華虹集團旗下的 12 寸晶圓廠上海華力微，以及半導體關鍵設備商供應商中微半導體，還有中國電子信息產業(yè)集團旗下生產智能卡和安全芯片的華大半導體。

　　圖 | 上海市市委書記李強調研中芯國際，梁孟松和中芯董事長周子學陪同介紹

　　中芯國際身為國內半導體生產制造的領頭羊，經歷上一任首席執(zhí)行官邱慈云協助公司將營運結構大改造后，現在的聯合首席執(zhí)行官梁孟松和趙海軍，一人負責高端技術研發(fā)，另一人負責生產制造的管理，協力讓中芯國際突破高端技術的研發(fā)和生產瓶頸。

　　梁孟松和趙海軍雙雙表示，中芯正處于過渡時期，在推進技術，建立平臺和構筑合作關系上已經看到令人鼓舞的初步進展，同時，中芯今年會朝著高個位數的營收成長邁進。

　　如今，梁孟松領軍的研發(fā)團隊已經成功將 14 納米 FinFET 導入客戶端應用，下一階段目標是將該技術導入量產，希望 2019 年進入量產并且擴大客戶群。

　　中芯國際在14納米 FinFET奠定基石后，公司指出下一步是推進第二代的 FinFET 工藝技術，以追求更好的 PPAC。

　　業(yè)界期待，梁孟松加入后的中芯國際在高端技術上會快速推進，14 納米 FinFET 只是**步，極可能在2019年就會緊接著推出第二代的 FinFET 技術，且因為臺積電、三星都已進入 7 納米工藝，為此，第二代 FinFET 可能會定調為一個全新的制程技術，例如“8 納米”或是“9 納米”工藝節(jié)點，跳過傳統業(yè)界“10 納米”的命名，也作為和7 納米工藝之間的區(qū)隔。

　　FinFET 技術延續(xù)摩爾定律，可一路做到 7 納米工藝

　　這次讓國內半導體生產工藝技術曙光乍現的 14 納米 FinFET 為什么很重要?這也是中國**個自主研發(fā)的 FinFET 技術。

　　細數全球量產 FinFET 架構技術的半導體大廠包括英特爾、臺積電、三星、 GlobalFoundries、聯電等，上一代傳統的 2D 電晶體架構發(fā)展至 28 納米工藝節(jié)點后，因其物理限制導致很難再將該技術往下微縮，現在所謂的 22 納米工藝也都是 28 納米工藝的延續(xù)，因此，28 納米也常被稱為是依循傳統摩爾定律的*后一個技術節(jié)點。

　　全新的 FinFET 技術是 3D 鰭式電晶體架構，是目前半導體的主流技術，也憑借該技術架構延續(xù)摩爾定律的壽命。

　　英特爾從 22 納米開始發(fā)展 FinFET 技術工藝，三星在 14 納米工藝世代、臺積電在 16 納米工藝開始導入 FinFET 架構，聯電在 14 納米導入，GlobalFoundries 的 14 納米 FinFET 技術則是與三星做技術授權，放眼全球半導體產業(yè)，無論是 10 納米或是 7 納米工藝，也都是采用 FinFET 技術架構。

　　近期國內芯片產業(yè)發(fā)展雖然處于艱困時期，但卻激發(fā)更多的突破與創(chuàng)舉，更有不少具里程碑的好消息傳出。

　　長江存儲新技術 Xtacking 驚艷全球，中國芯片發(fā)展不畏打壓力求突破

　　日前，身為國內存儲陣營代表的長江存儲，由 CEO 楊士寧領軍宣布其全新的 Xtacking 技術架構問世，在***的閃存峰會露臉，更獲得“*具創(chuàng)新初創(chuàng)閃存企業(yè)”大獎，該公司開發(fā)成功的 32 層 3D NAND 技術計劃在第四季實現量產，而楊士寧過去也曾經擔任過中芯國際的首席運營官。而未隔幾日，中芯國際又傳來 14 納米 FinFET 工藝技術將出現歷史性的里程碑突破發(fā)展。

　　盡管中國芯片產業(yè)的發(fā)展前景看似阻力重重，但從近期各大廠端出的成績單來看，這些阻力或者說壓力，反而已然逐漸形成另一種形態(tài)的動力，透露的是國內各家芯片廠無論是技術開發(fā)，或是生產制造都是全力往前沖刺，越是受到打壓，越要踩油門前進。

　　而且隨著中芯國際、長江存儲等接二連三的技術突破好消息傳出，無疑是為國內芯片產業(yè)發(fā)展注入全新動能，這不只是心理層面上的激勵作用，更具有大步向前的實質性意義，凸顯國內半導體產業(yè)的一次關鍵性跨步躍進。