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產(chǎn)品詳情
納米材料,定義為粒徑在1-100納米之間一類(lèi)超細(xì)材料,具有表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、宏觀(guān)量子隧道效應(yīng)等一些特殊物理化學(xué)性能。由于結(jié)構(gòu)有比表面積大,粒徑小,表面原子比例高等特點(diǎn),使得納米材料在電學(xué)、熱力學(xué)以及催化等多個(gè)方面有獨(dú)特的性能,被稱(chēng)作21世紀(jì)##發(fā)展前景的材料。
納米材料/納米電子器件電學(xué)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)
隨著納米材料在不同領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,新型納米材料的研發(fā)具備了與往不同的特征,如納米發(fā)電材料,納米溫差材料,納米傳感器等。由于納米材料的種類(lèi),以及功能眾多,因此,納米材料的測(cè)試面臨如下測(cè)試挑戰(zhàn):
測(cè)試信號(hào)微弱,納米材料測(cè)試多為樣品研發(fā)試驗(yàn)階段,需要測(cè)試樣品在單位面積產(chǎn)生的電壓或電流微弱信號(hào)。尤其是電流信號(hào),可低至nA,甚至pA級(jí)。因此,這就要求測(cè)試儀表,具有準(zhǔn)確的微弱信號(hào)檢測(cè)能力。
外部噪聲干擾,由于納米材料測(cè)試信號(hào)弱,且部分材料特性易受外部環(huán)境變化干擾,這就需要在測(cè)試中對(duì)與測(cè)試無(wú)關(guān)的外部環(huán)境噪聲,進(jìn)行有效屏蔽。比如采用四線(xiàn)制測(cè)試,降低線(xiàn)損壓降;采用三同軸Guard方式降低線(xiàn)纜漏電流等等方式。
測(cè)試方式多樣,多數(shù)納米材料在光,熱,濕度等外部環(huán)境的激勵(lì)下,具有一定的響應(yīng)特征。因此,在對(duì)納米材料的研發(fā)中,常需要測(cè)試樣品在不同外界激勵(lì)源的響應(yīng)輸出能力。多樣化的測(cè)試,使得測(cè)試儀表具備多種測(cè)試功能,如進(jìn)行恒壓測(cè)試,I-V掃描測(cè)試,V-t測(cè)試,脈沖測(cè)試,多通道測(cè)試等。
利用數(shù)字源表進(jìn)行納米材料電特性表征
實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的##工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào),還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現(xiàn)多臺(tái)儀表聯(lián)動(dòng)工作;針對(duì)有機(jī)OFET類(lèi)型的三端類(lèi)型納米器件以及多樣品驗(yàn)證測(cè)試,可直接通過(guò)2臺(tái)數(shù)字源表或者插卡式源表搭建完整的多通道IV測(cè)試系統(tǒng)。
S系列源表打造納米材料溫差器件測(cè)試方案
該方案主要針對(duì)納米材料溫差器件,在不同溫度激勵(lì)下,測(cè)試其輸出電壓以及輸出電流數(shù)據(jù)。如下圖所示,整套測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成包括,1臺(tái)S系列源表、溫度控制器,待測(cè)器件、測(cè)試連接線(xiàn)以及上位機(jī)軟件組成測(cè)試電路。采用兩電極測(cè)試方法對(duì)器件的輸出電壓進(jìn)行測(cè)試,將源表的高低電勢(shì)夾頭連接于器件輸出端,隨著溫度的變化,在數(shù)字源表中獲得開(kāi)路電壓或者輸出電流數(shù)據(jù)。
S系列/CS系列源表打造納米水伏發(fā)電材料測(cè)試方案
該方案主要用于,測(cè)試納米水伏發(fā)電材料其輸出電壓以及輸出電流隨時(shí)間變化的曲線(xiàn),以驗(yàn)證不同結(jié)構(gòu)材料的發(fā)電性能。如下圖所示,整套測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成包括,1臺(tái)S系列源表或者CS插卡式多通道源表,待測(cè)器件、測(cè)試連接線(xiàn)以及上位機(jī)軟件組成測(cè)試電路。采用二線(xiàn)制的測(cè)試方法,對(duì)樣品期間兩端的輸出電壓或者電流進(jìn)行持續(xù)采集,在數(shù)字源表中獲得I-t或者V-t數(shù)據(jù)。
納米水伏發(fā)電材料測(cè)試連接圖
S系列/CS系列源表打造納米有機(jī)晶體管器件測(cè)試方案
輸出特性曲線(xiàn)測(cè)試
在施加不同的柵壓(VGS)時(shí),源漏電流ISD隨著源漏電壓VDS變化而變化得出的曲線(xiàn),稱(chēng)之為輸出特性曲線(xiàn)。
轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)測(cè)試
在施加不同的源漏電壓VDS下,源漏電流IDS隨著柵壓VGS的變化而變化得出的曲線(xiàn),稱(chēng)之為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。
武漢普賽斯一直專(zhuān)注于納米材料,傳感器,半導(dǎo)體器件等電性能測(cè)試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),率先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表等產(chǎn)品。產(chǎn)品具有測(cè)試精度高,微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn),可夠根據(jù)用戶(hù)測(cè)試需求配置高效,高性?xún)r(jià)比的納米材料測(cè)試方案,可廣泛應(yīng)用在納米材料,傳感器,半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā),生產(chǎn)領(lǐng)域。納米水伏發(fā)電材料IV性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢(xún),詳詢(xún)一八一四零六六三四七六;
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