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半導體分立器件特性參數測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的##工具之一是半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)，普賽斯半導體分立器件靜態(tài)測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。 詳詢

特點和優(yōu)勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六

系統(tǒng)指標

項目		參數
集電極-發(fā)射極	Z大電壓.	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值15us
	大電流脈寬	50us~500us
	漏電流測試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
	精度	±1℃

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容   

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等


目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現出####優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在3500V、1000A以上量程及測試性能均處于####優(yōu)勢地位。此外，在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場，普賽斯儀表的產品也能夠滿足絕大多數應用場景的需求。更多有關半導體分立器件靜態(tài)測試儀認準普賽斯儀表咨詢，詳詢一八一四零六六三四七六；